特許
J-GLOBAL ID:200903010060129879

電子製品材料の精製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-327091
公開番号(公開出願番号):特開2002-114743
出願日: 2000年10月26日
公開日(公表日): 2002年04月16日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】昇華精製法の収率、処理時間の問題と有機溶剤を除去し難い問題を解決し、電子製品材料に適した有機化合物の安価な精製方法を提供する。【解決手段】電子製品材料の粗製品を減圧下に熔融して、粗製品中に含まれる低温昇華物または/および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いる電子製品材料の精製方法。また電子製品材料の粗製品を吸着法、晶折法又は流体クロマトグラフィーの1種以上の方法で精製した後に、減圧下に熔融して低温昇華物および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いる電子製品材料の精製方法。さらに電子製品材料がトリフェニルアミン誘導体であり、トリフェニルアミン誘導体が分子量400〜2000の正孔輸送材料用の有機化合物である電子製品材料の精製方法。
請求項(抜粋):
電子製品材料の粗製品を減圧下に熔融して、粗製品中に含まれる低温昇華物または/および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いることを特徴とする電子製品材料の精製方法。
IPC (3件):
C07C209/84 ,  C07C209/10 ,  C07C211/54
FI (3件):
C07C209/84 ,  C07C209/10 ,  C07C211/54
Fターム (5件):
4H006AA02 ,  4H006AC52 ,  4H006AD17 ,  4H006BC52 ,  4H006BD60
引用特許:
審査官引用 (4件)
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