特許
J-GLOBAL ID：200903010070601240
半導体発光素子、半導体発光装置および製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-040235
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205229
出願日： 2007年02月21日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】半導体発光素子からの光は全方向に進む。そのため、照明方向以外に進む光は有効に利用できない。半導体発光素子の側面に傾斜面をつけ、そこに反射層を形成する手段は提案されているものの、エッチングなどの方法で傾斜面をつけるため、加工に時間がかかり、傾斜面の制御が困難といった課題があった。【解決手段】発光層を形成した厚めの基板に反射用の傾斜面を機械的加工で形成し反射層を施す。その後、補強材を充填してから射光面側から、反射膜が表面に現れるまで基板を研削する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の面を射光面とする基板と、
前記基板における前記射光面の反対面上に形成されたn型層と、
前記n型層に形成されたn側電極と、
前記n型層上に形成されたp型層と、
前記n型層と前記p型層の間に配された少なくとも1層以上の活性層と、
前記p型層に形成されたp側電極と、
前記射光面とのなす角度が0度より大きく90度より小さく、かつ反射膜が形成された側面とを有する半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 N
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB01
, 5F041CB36
, 5F041DA03
, 5F041DA09
, 5F041DA34
, 5F041DA35
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041DA47
, 5F041DB09
