特許
J-GLOBAL ID：200903071625838940

窒化物系半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
小野 善伸

小野 善伸 について

, 
笠原 健司

笠原 健司 について

, 
山中 貞則

山中 貞則 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-283467
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128659
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 窒化物系半導体発光素子における外部光取出し効率を改善すること。【解決手段】 発光ダイオード1の窒化物系半導体4の側面に、窒化物系半導体4の光取出し側主面Xの面積が対向主面Yの面積より大きくなるように傾斜した傾斜側面4Aを形成し、傾斜側面4Aに反射膜7を設けた。傾斜側面4Aの傾斜角度αは、105°以上165°以下とするのが好ましい。光取出し側主面Xに反射防止膜6を設けるとともに、対向主面Y側に接着/反射層32を設けることにより、外部光取出し効率がさらに改善される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型導電性の層とp型導電性の層との間に発光層を有する窒化物系半導体からなる窒化物系半導体発光素子であって、該窒化物系半導体の一対の主面に各々オーミック電極が設けられており、該窒化物系半導体の側面が、光取出し側主面を下底とした逆メサ状に傾斜していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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