特許
J-GLOBAL ID：200903010077894617
中性粒子加工方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343359
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ中のイオンを用いて基板加工する際、特にマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴プラズマ法により生成したプラズマを用いる時に、試料表面に微細な凹凸が存在していても、その低エネルギ、大電流イオン輸送の長所を最大限活用して、微細、高精度、高品質の加工を施すことができるようにする。【構成】 プラズマ生成室1にガスを導入してマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴放電を用いてプラズマを発生させ、このプラズマをプラズマ生成磁気コイル9によってプラズマ生成室1から引出してイオン流中性化室32に導き、プラズマ流中のイオンの流れを中和して中性粒子流を生成し、この中性粒子流35を試料基板7に照射する。一方、プラズマ流中性化室32を通過したプラズマ流については、プラズマ除去用磁気コイル34の作用によって試料基板7を照射しないようにする。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室にガスを導入してプラズマを発生させ、このプラズマをプラズマ引出し手段によって前記プラズマ生成室からプラズマ流として引き出してイオン流中性化室に導き、このイオン流中性化室を通過するプラズマ流中のイオンの流れを中和して中性粒子流を生成し、この中性粒子流を試料室に導いて試料基板を照射するようにしたことを特徴とする中性粒子加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23C 14/24
, C23F 4/00
, H01L 21/268
, H01L 21/31
