特許
J-GLOBAL ID:200903010107306480

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-284147
公開番号(公開出願番号):特開2000-114563
出願日: 1998年10月06日
公開日(公表日): 2000年04月21日
要約:
【要約】【課題】 発電効率低下を抑制すること。【解決手段】 透明導電体層2および前記透明導電体層上に形成されたn型半導体電極4、ならびにn型半導体電極に吸着された色素、色素と接する電荷輸送層3、電荷輸送層と接する対向電極5からなる光電変換素子において、上記n型半導体電極4がTiを含む酸化物からなり、n型半導体電極4のキャリア濃度が1017/cm3 以上とした。
請求項(抜粋):
透明導電体層および前記透明導電体層上に形成されたn型半導体電極、ならびにn型半導体電極に吸着された色素、色素と接する電荷輸送層、電荷輸送層と接する対向電極からなる光電変換素子において、上記n型半導体電極がTiを含む酸化物からなり、n型半導体電極のキャリア濃度が1017/cm3以上であることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2件):
H01L 31/04 Z ,  H01M 14/00 P
Fターム (11件):
5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH02
引用特許:
審査官引用 (3件)

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