特許
J-GLOBAL ID：200903010107306480
光電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114563
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 発電効率低下を抑制すること。【解決手段】 透明導電体層2および前記透明導電体層上に形成されたn型半導体電極4、ならびにn型半導体電極に吸着された色素、色素と接する電荷輸送層3、電荷輸送層と接する対向電極5からなる光電変換素子において、上記n型半導体電極4がTiを含む酸化物からなり、n型半導体電極4のキャリア濃度が1017/cm3 以上とした。
請求項（抜粋）：
透明導電体層および前記透明導電体層上に形成されたn型半導体電極、ならびにn型半導体電極に吸着された色素、色素と接する電荷輸送層、電荷輸送層と接する対向電極からなる光電変換素子において、上記n型半導体電極がTiを含む酸化物からなり、n型半導体電極のキャリア濃度が1017/cm3以上であることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 Z
, H01M 14/00 P
5F051AA14
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH02
審査官引用 (5件)
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光電変換素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-320004
出願人：松下電器産業株式会社
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特開平1-220380
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特表平5-504023
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特開平1-220380
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特表平5-504023
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