特許
J-GLOBAL ID：200903010144150954

単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム

発明者：
柳町 隆弘

柳町 隆弘 について

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熊谷 政孝

熊谷 政孝 について

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山田 好彦

山田 好彦 について

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林 恒男

林 恒男 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349175
公開番号（公開出願番号）：特開2005-112669
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】育成した単結晶の製品化できない部分の結晶を製品や検査品製造の原料結晶として再利用する際により合理的、効率的で低コストな単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システムを提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、少なくとも、育成された単結晶のうち製品化されなかった結晶部分を再利用原料結晶とし、該再利用原料結晶を前記育成された単結晶のうち製品化された結晶部分の検査結果に基づいて分類し、該分類された再利用原料結晶を分類毎に粉砕した後に洗浄し、所定の抵抗率となるように前記分類された再利用原料結晶の少なくとも一種を選択して原料として用い、単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、少なくとも、育成された単結晶のうち製品化されなかった結晶部分を再利用原料結晶とし、該再利用原料結晶を前記育成された単結晶のうち製品化された結晶部分の検査結果に基づいて分類し、該分類された再利用原料結晶を分類毎に粉砕した後に洗浄し、所定の抵抗率となるように前記分類された再利用原料結晶の少なくとも一種を選択して原料として用い、単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B29/06 ,  C30B15/04
FI (3件)：
C30B29/06 D ,  C30B29/06 502Z ,  C30B15/04
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EC02 ,  4G077EC07 ,  4G077EC10 ,  4G077EH10 ,  4G077PB04 ,  4G077PB05 ,  4G077PB09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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