レジストパターンの形成方法およびレジストパターン形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138101
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332211
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】モールドとレジストの溶解性を向上させることができるように改良された、ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】基板4の上に、上層膜3と下層膜2の2層膜からなるレジスト層を形成する。レジスト層に、パターンの形成されたモールド1を押しつける。レジスト層にモールド1を押しつけた状態で、基板4を、上層膜3を溶かす溶剤に浸漬し、上層膜3を溶解させる。モールド1を基板4から引き離す。この発明によれば、レジスト構造を2層構造とし、モールド1をプレスした状態で、上層膜を溶媒中で溶かすことにより、モールドの離型性を向上させることができ、モールドの長寿命化が実現できるとともに、高アスペクト比パターン形成が容易に実施できる。

請求項（抜粋）：

基板の上に、上層膜と下層膜の2層膜からなるレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に、パターンの形成されたモールドを押しつける工程と、前記レジスト層に前記モールドを押しつけた状態で、前記基板を、前記上層膜を溶かす溶剤に浸漬し、前記上層膜を溶剤に溶解させる工程と、前記モールドを前記基板から引き離す工程と、を備えたレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 501

FI (2件)：

G03F 7/20 501 , H01L 21/30 502 D

Fターム (6件)：

2H097CA11 , 2H097FA03 , 2H097GA00 , 2H097LA20 , 5F046NA01 , 5F046NA19

引用特許：

審査官引用 (5件)

誘導的に動作する計算システムの製造法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-536671 出願人：アトテッヒ・ドイッチュランド・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
特開平3-209479
特開昭58-016530

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