特許
J-GLOBAL ID：200903010162068343
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-281147
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134586
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 消去動作の異常終了を容易に検出できるようにし、異常終了があった場合に、WP信号を切り替えなくても、直ちに再度消去動作が実行できるようになるフラッシュメモリなどを提供する。【解決手段】 メモリセルアレイを分割した各ブロック1ごとにECデータ記憶領域1bを設け、消去動作の終了時にそのブロック1のECデータ記憶領域1bにECデータを書き込む。このECデータ記憶領域1bにECデータが記憶されていないブロック1については、データの保護状態にかかわらず、再消去を可能にする。
請求項（抜粋）：
データを不揮発性記憶するメモリセルアレイのブロックを複数備え、該各ブロックごとにデータの消去が可能になると共に、該消去を行った後のブロックにのみデータの書き込みが可能となる不揮発性半導体記憶装置であって、各ブロックごとにデータを不揮発性記憶するブロックプロテクトデータ記憶領域を備えると共に、ライトプロテクト信号がアクティブであり、かつ、該ブロックプロテクトデータ記憶領域にブロックプロテクトデータが記憶されている場合に、当該ブロックのデータの消去と書き込みを禁止するブロックプロテクト手段を備えたものにおいて、各ブロックごとにデータを不揮発性記憶する消去終了データ記憶領域を備えると共に、消去動作の終了時に当該ブロックの消去終了データ記憶領域に消去終了データを書き込む消去終了データ設定手段と、該消去終了データ記憶領域に消去終了データが記憶されていない場合に、該ブロックプロテクト手段の機能にかかわらず、当該ブロックのデータの消去を可能にする再消去許可手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/02
, G06F 12/14 310
, G06F 12/16 310
G11C 17/00 601 P
, G06F 12/14 310 F
, G06F 12/16 310 A
