特許

J-GLOBAL ID：200903010186843062

半導体装置の作製方法

発明者： 中嶋 節男 ,  山崎 舜平 ,  楠本 直人 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262596
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027453
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエハー上に形成されるトランジスタと同等の特性を有する薄膜トランジスタを得る。【構成】 非晶質珪素薄膜を102で示される形状にパターニングし、ニッケルシリサイドが形成された領域101から103で示される結晶成長を行わせる。この結晶成長において、加熱した状態でレーザー光を走査しつつ照射することで、104で示されるような単結晶領域と見なせる領域を形成することができる。そして、104で示す単結晶領域を401で示される形状にパターニングして、薄膜トランジスタの活性層を構成する。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜の表面に接して珪素の結晶化を助長する金属元素の層または前記金属元素を含む層を選択的に形成する工程と、前記非晶質珪素膜に対してレーザー光を前記非晶質珪素膜の面積が漸次増大する方向に移動させながら照射し単結晶と見なせる領域を形成する工程と、を有し、前記レーザー光の照射は前記非晶質珪素膜を加熱した状態で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭57-072319
  
• 特開平2-140915
  
• 特開昭57-113267
  
• 特開昭59-154016
  
• 特開平4-286336
  
• 特開昭58-156591
  
• 特開昭59-102890
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040522   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所