特許
J-GLOBAL ID：200903010189858540
エッジエミッティングレーザアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241635
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135893
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 電気的及び光学的閉じ込めを与える、正確に画定され制御される酸化物領域を有するモノリシックで独立してアドレス可能なレーザアレイを開発する。【解決手段】 エッジエミッティングレーザのアレイ100で、前記エッジエミッティングレーザの各々が、基板と、前記基板上に形成される複数の半導体層と、活性領域を形成する前記複数の半導体層の一つ又は一つ以上と、前記活性領域上の半導体層から形成されるウエーブガイド214であって、前記ウエーブガイド214が前記活性領域からの光放射に光学的閉じ込めを与え、前記ウエーブガイド214が溝210に形成される自然酸化物層212によって画定され、前記溝210が前記複数の半導体層中に形成され半導体から形成される前記ウエーブガイド214の側面まで下方に延在するウエーブガイド214と、前記アレイ中の隣接するエッジエミッティングレーザに電気的分離も与える前記自然酸化物212層と、前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極とを含む、前記エッジエミッティングレーザのアレイを提供する。
請求項（抜粋）：
エッジエミッティングレーザのアレイで、前記エッジエミッティングレーザの各々が、基板と、前記基板上に形成される複数の半導体層と、活性領域を形成する前記複数の半導体層の一つ又は一つ以上と、前記活性領域上の半導体層から形成されるウエーブガイドであって、前記ウエーブガイドが前記活性領域からの光放射に対して光学的閉じ込めを与え、前記ウエーブガイドが溝に形成される自然酸化物層によって画定され、前記溝が前記複数の半導体層中に形成され半導体から形成される前記ウエーブガイドの側面まで下方に延在するウエーブガイドと、前記アレイ中の隣接するエッジエミッティングレーザに電気的分離も与える前記自然酸化物層と、前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極とを含む、エッジエミッティングレーザのアレイ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開昭61-114535
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-149328
出願人：富士ゼロツクス株式会社
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特開昭63-193585
引用文献：
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