特許
J-GLOBAL ID：200903010192750670
チップ型半導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202042
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050734
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 チップ型発光ダイオードをプリント基板に実装する際の加熱温度が高いために、チップ型発光ダイオードが高温にさらされることになり、封止用の透光性樹脂体に発生する内部応力やひずみ等による膨張に伴って導電性接着剤が電極部から剥離するという問題に対し、電極部に対する導電性接着剤の接着力を増すことによって、上記課題を解決するものである。【解決手段】 絶縁基板12の表面に一対の電極部13a,13bを設け、一方の電極部13aの上に導電性接着剤14を用いて発光ダイオード素子15をダイボンドするチップ型発光ダイオード11において、前記電極部13aに絶縁基板12の表面を露出させる切欠部19を設け、該電極部13aの上に塗布した導電性接着剤14の一部を切欠部19内に流し込んで絶縁基板12の露出表面と接着させたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の表面に電極部を設け、該電極部の上に導電性接着剤を用いて半導体素子をダイボンドするチップ型半導体において、前記電極部に絶縁基板の表面を露出させる切欠部を設け、該電極部の上に塗布した導電性接着剤の一部を切欠部内に流し込んで絶縁基板の露出表面と接着させたことを特徴とするチップ型半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/52 A
, H01L 33/00 N
