半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077518
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258266
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】分離溝の内壁に酸化膜ライナ等を形成することなく、安定した均一な素子分離特性を得るとともに、分離溝へ充填された絶縁物の十分な密着性を確保することを可能とし、大口径の半導体基板に適用しても均一で高い素子分離特性及び均一で十分な埋め込み絶縁物の密着性を得る。【解決手段】分離溝3の内壁面に熱酸化膜4を形成した後、ランプアニール装置を用い、熱酸化膜4の形成時よりも高温、例えば950°Cで所定の短時間(ここでは例えば30秒間)、シリコン半導体基板1を加熱処理する。この加熱処理により、熱酸化膜4の少なくとも表層が更に強固で均一な酸化状態となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子分離領域に溝を形成する工程と、前記溝の内壁面を熱酸化する工程と、前記内壁面を加熱処理する工程と、前記溝を少なくとも絶縁物で充填する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L21/76 L , H01L27/08 331A , H01L21/316 P

Fターム (28件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA77 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA26 , 5F032DA33 , 5F032DA41 , 5F032DA53 , 5F032DA58 , 5F032DA74 , 5F048AA04 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BC06 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F058BF55 , 5F058BF61 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BH16 , 5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体素子のトレンチ素子分離方法及びこれを用いた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002884 出願人：三星電子株式会社
米国特許第5447884号明細書

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