特許
J-GLOBAL ID：200903013763803333
半導体素子のトレンチ素子分離方法及びこれを用いた半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208609
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ食刻用マスクパターンを除去するときのライナ層のエッチングによる窪み発生を防止できる半導体素子のトレンチ素子分離方法及びこれを用いた半導体素子を提供すること。【解決手段】 CVD酸化膜よりなる窪み防止膜110をトレンチ内壁およびトレンチ食刻用マスクパターン104の側壁に形成した後、窒化膜からなるライナ層112を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にトレンチ食刻用マスクパターンを形成する第1工程と、前記トレンチ食刻用マスクパターンを用いて、半導体基板にトレンチを形成する第2工程と、少なくとも前記トレンチ食刻用マスクパターンの側壁に薄膜が形成されるように、窪み防止膜を前記半導体基板の全面に形成する第3工程と、前記窪み防止膜の上にライナ層をデポジットする第4工程と、前記トレンチを埋め込むと同時に半導体基板の表面を覆う素子分離用絶縁膜をデポジットする第5工程と、前記トレンチ食刻用マスクパターンが露出するように、前記露出した素子分離用絶縁膜の一部を除去する第6工程と、前記トレンチ食刻用マスクパターンを除去する第7工程とを具備することを特徴とする半導体素子のトレンチ素子分離方法。
引用特許：
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