特許

J-GLOBAL ID：200903010225719536

強誘電体キャパシタ、その製造方法、および半導体装置

発明者： 高松 知広
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304628
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127262
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタにおいて、強誘電体キャパシタ絶縁膜の電気特性を向上させ、また歩留まりを向上させる。【解決手段】 強誘電体キャパシタ絶縁膜上に形成される上側電極としてIrO2 膜を使い、前記IrO2 膜を最初に低いパワー、次に高いパワーでスパッタリングする2段階スパッタ法により形成する。

請求項（抜粋）：

下側電極を形成する工程と、前記下側電極上に強誘電体膜を形成する工程と、前記強誘電体膜上に上側電極を形成する工程とよりなる強誘電体キャパシタの製造方法であって、前記上側電極を形成する工程は、導電性酸化膜を、前記導電性膜を構成する金属元素のターゲットを使ったスパッタリングにより、前記金属元素の酸化が生じるような条件で形成する工程を含むことを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (8件)：

5F083FR03 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-047488   出願人：富士通株式会社
• 誘電体キャパシタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-004463   出願人：ローム株式会社