半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082911
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295981
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】本発明は、Si基板上に複数のLSIチップが配線を含んで搭載されたマルチチップモジュールにおいて、信頼性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、多層配線基板11の製造の際に、上記Siウェハ基板16内の、上記薄膜配線基板17との境界部にN型拡散層22を作り込み、このN型拡散層22とP型のSiウェハ基板16との間にPN接合保護ダイオードを形成する。そして、この保護ダイオードにより、金属電極25とSiウェハ基板16との間に瞬間的に加わる電圧を制限することで、LSIチップ13の消費電流の変動による電源ノイズを低減するためのデカップリングキャパシタ24が、外部からの高電圧ノイズの印加により破壊されるのを防止する構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、薄膜配線層と絶縁層とを積層して薄膜配線基板を形成してなる多層配線基板と、この多層配線基板の前記半導体基板または前記薄膜配線層または前記絶縁層に加えられる電圧を制限する入力保護回路とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/00 301 , H01L 21/3205 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 21/88 Z , H01L 27/06 311 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭63-052446
半導体集積回路実装基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190039 出願人：株式会社東芝
特開平1-214225

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審査官引用 (7件)

特開昭63-052446
特開昭63-052446
半導体集積回路実装基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190039 出願人：株式会社東芝

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