特許

J-GLOBAL ID：200903010257973663

メモリ装置

発明者： 木村 智礼
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319479
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【目的】 プリチャージに要する消費電力の少ないメモリ装置の提供。【構成】 プロセッサ400がメモりアクセスをおこなう前に、プリチャージすべきビット線をアドレス信号10の変化に基づきビット線変化予測回路120により予測し、前記ビット線変化予測回路の出力信号121により予測したビット線のみプリチャージをおこない、他のビット線はプリチャージをおこなわないことにより、メモリへのアクセスタイムを遅くする事なく、消費電力を低減した。

請求項（抜粋）：

プロセッサがメモリアクセスをおこなう前にプリチャージすべきビット線を予測し、メモリアクセス時には、予測したビット線のみプリチャージをおこない、他のビット線はプリチャージをおこなわないことにより、メモリへのアクセスタイムを遅くする事なく、消費電力を低減した、ことを特徴とするメモリ装置

FI (3件)：

G11C 11/34 L ,  G11C 11/34 M ,  G11C 11/34 301 E

Fターム (4件)：

5B015JJ03 ,  5B015KA33 ,  5B015KB86 ,  5B015PP01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-339631   出願人：ヤマハ株式会社