半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253816
公開番号（公開出願番号）：特開平11-096783
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】メモリセルのソ-ス電圧によらず精度よくメモリセルの状態が検出できる半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】ワード線制御回路6は、メモリセルアレイ1中のワード線を選択し、読み出しあるいは書き込みあるいは消去に必要な電圧を与える。メモリセルアレイ1、ビット線制御回路2、カラムデコーダ3、データ入出力バッファ4、ワード線制御回路6、およびデータ検出回路9は、制御信号および制御電圧発生回路7によって制御される。この中には読み出し及びベリファイ電圧発生回路7aが含まれ、制御電圧発生回路7で発生される読み出し時あるいは書き込みベリファイ時の選択ワード線WLの電圧を、メモリセルアレイ1の共通ソース線電圧に応じて調整する構成となっている。

請求項（抜粋）：

ゲート、ドレイン、ソースを有するメモリセルと、前記メモリセルの状態を検出するために、前記ゲートに読み出しゲート電圧を印加する制御回路と、前記ソースの電圧に応じて前記読み出しゲート電圧を調整し発生する制御電圧発生回路とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (3件)：

G11C 17/00 632 C , G11C 17/00 613 , G11C 17/00 622 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320827 出願人：日本電気株式会社

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