特許
J-GLOBAL ID:200903010266770376

臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-101953
公開番号(公開出願番号):特開平5-279033
出願日: 1992年03月27日
公開日(公表日): 1993年10月26日
要約:
【要約】【目的】 磁界電流密度の高い酸化物系超電導体を簡単な製造工程で製造する方法を提供することを目的とする。【構成】RE2 Cu2 O 5 (REはY,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Ybのグループより選ばれる希土類元素を示す),Ba酸化物,およびCu酸化物を原料として、混合・成型し、さらに熱処理を施すことにより超電導相を成長させることを特徴とするREBaCuO系酸化物超電導体の製造方法。
請求項(抜粋):
RE2 Cu2 O 5 (REはY,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Ybのグループより選ばれる希土類元素を示す),Ba酸化物,およびCu酸化物を原料として、混合・成型し、さらに熱処理を施すことにより超電導相を成長させることを特徴とするREBaCuO系酸化物超電導体の製造方法。
IPC (3件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平1-160825
  • 特開平1-093461
  • 特開平2-204322
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