レジスト除去方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-010301
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】人体及び自然環境に対して無害な物質を用いて、半導体素子や液晶ディスプレイなどの製造工程中で用いられるレジストを除去できるようにする。【解決手段】被洗浄物a上にパターンを形成し、不要になったたフォトレジストを、密閉状態で高圧にした水で分解除去する。さらに同じく密閉状態で高圧にした二酸化炭素でリンスを行う。その後、大気圧まで圧力を減圧することにより被洗浄物aを乾燥させる。

請求項（抜粋）：

被洗浄物上に塗布したレジストを除去するレジスト除去方法であって、密閉状態で高圧にした液体状態または、超臨界状態の水の分解作用により、被洗浄物からレジストを除去することを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Fターム (6件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096LA02 , 2H096LA03 , 5F046MA02 , 5F046MA07

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-087147
特開平2-098928
特開平1-220828

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審査官引用 (4件)

特開平2-087147
特開平2-098928
特開平1-220828

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