特許

J-GLOBAL ID：200903010285025606

半導体装置及びその製造方法

発明者： 飯島 隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168392
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331050
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】ダイシングクズやその他組立工程中に発生するチップの受光部上への付着物による光学的特性の欠陥を防止する光透過窓を有する半導体装置およびその製造方法の提供。【解決手段】受光部を形成したウェハ1上にシリコンの接着膜を接着して、透明キャップ2を形成し、パッド3およびスクライブ線4領域上にある上記シリコンを取り除き、ダイシングし、リードフレーム6に接着剤5を介してチップ1aをマウントし、チップ1a上のパッド3とリードフレーム6の所定の内部リードとをボンディングワイヤー7により接続し、その後、受光部を避けて封止樹脂8により封止する。

請求項（抜粋）：

光透過窓を有する半導体装置において、ウェハ表面の受光部をシリコンの接着膜で被い、上記受光部を避けて樹脂封止してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-196985
  
• 固体撮像素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-163535   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド