特許
J-GLOBAL ID：200903010296285332
トランジスタ素子及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238480
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065179
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】ソース部/ドレイン部間の耐圧向上を図ることができ、しかも、ソース部及びドレイン部のシート抵抗の増加を抑制可能なSOI構造を有するトランジスタ素子を提供する。【解決手段】トランジスタ素子には、絶縁層21上に形成された半導体層30にチャネル部45、ソース部及びドレイン部が形成され、(A)ソース部は、第1のソース部46A、及び第1のソース部46Aよりも高濃度の不純物を含有する第2のソース部46Bから成り、(B)ドレイン部は、第1のドレイン部47A、及び第1のドレイン部47Aよりも高濃度の不純物を含有する第2のドレイン部47Bから成り、(C)第1及び第2の導電領域51,52が、ソース部及びドレイン部の外側の半導体層30に形成され、(D)前記絶縁層21は、第1及び第2の導電領域51,52を構成する金属元素と反応しない材料から成る。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に形成された半導体層にチャネル部、ソース部及びドレイン部が形成されたトランジスタ素子であって、(イ)ゲート電極部と、(ロ)該ゲート電極部の下に形成されたチャネル部と、(ハ)該チャネル部の一方の側に接して形成されたソース部と、(ニ)該ソース部の外側の半導体層に形成され、金属若しくは金属化合物から成る第1の導電領域と、(ホ)該チャネル部の他方の側に接して形成されたドレイン部と、(ヘ)該ドレイン部の外側の半導体層に形成され、金属若しくは金属化合物から成る第2の導電領域、から成り、ソース部は、チャネル部側から、第1のソース部、及び該第1のソース部よりも高濃度の不純物を含有する第2のソース部から成り、ドレイン部は、チャネル部側から、第1のドレイン部、及び該第1のドレイン部よりも高濃度の不純物を含有する第2のドレイン部から成り、前記絶縁層は、第1及び第2の導電領域を構成する金属元素と反応しない材料から成ることを特徴とするトランジスタ素子。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 27/12
, H01L 21/336
H01L 29/78 621
, H01L 27/12 B
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 627 D
