特許

J-GLOBAL ID：200903010310620484

ドライエッチング方法

発明者： 中川 秀夫 ,  服藤 憲司 ,  三坂 章夫 ,  久保田 正文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092527
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283480
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 プラズマを用いたエッチングにおいて、エッチレート及び選択比のパタンアスペクト比依存性の小さなプロセスを提供する。【構成】 本発明のドライエッチング方法は、プラズマを用いたエッチングにおいて、前記プラズマにより生成され基板表面に供給されるラジカルの吸着率が、凹凸部に一様に吸着するような吸着率であるように構成されている。【効果】 エッチレートのマイクロローディング効果が低減できるとともに、大開口パタンだけでなく小開口の高アスペクト比パタンにおいても高選択比が得られる。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いたエッチングにおいて、前記プラズマにより生成され基板表面に供給されるラジカルの吸着率が、被エッチング材質の凹凸部に一様に吸着するような吸着率であることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C04B 41/91 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化物部分および窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-296599   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-284643   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-211829
  
• 特開平4-152521