特許
J-GLOBAL ID：200903010325119692
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びそれを使った電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077657
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】IGBTにおいては、ゲート配線下のウェル層にホールが流れ込むため、オン電圧が高くなる。【解決手段】金属ゲート配線13下のp層30と、n層23が形成される動作領域のp層30とが同じ接合深さで連続して設けられる。【効果】ゲート配線下付近の半導体領域内から主電極へのキャリアの流れ込みが抑制されるので、オン電圧が低減される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に位置する第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域内に伸びる複数個の第1導電型の第3の半導体領域と該各第3の半導体領域内に位置する第1導電型の第4の半導体領域と、前記第2,第3及び第4の半導体領域の表面上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極と接するゲート配線と、前記第3の半導体領域と第4の半導体領域に接触した主電極と、前記第1の半導体領域に接触した他の主電極とを有し、前記各第3の半導体領域における前記ゲート配線下の部分と前記第4の半導体領域が位置する部分とが同じ接合深さで形成されることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 652 C
