特許

J-GLOBAL ID：200903010346640554

高耐圧半導体装置

発明者： 舟木 英之 ,  中川 明夫 ,  山口 好広 ,  安原 紀夫 ,  末代 知子 ,  大村 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122635
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316469
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧駆動回路と低耐圧制御回路とを同時に形成することにより、コストの大幅な低減を可能とした高耐圧半導体装置を提供すること。【構成】 表面に絶縁層を有する基板の絶縁層上に形成された第1導電型の高抵抗半導体層と、この高抵抗半導体層の表面領域に選択的に形成された第1導電型のベ-ス領域と、前記高抵抗半導体層の表面領域に選択的に、前記絶縁層に達しないように形成された第2導電型のドリフト領域と、前記ベ-ス領域に形成された第2導電型のソ-ス領域と、前記ドリフト領域に形成されたドレイン領域と、前記ソ-ス及びドリフト領域の間の領域の上にゲ-ト絶縁膜を介して形成されたゲ-ト電極と、前記ベ-ス領域及びソ-ス領域にコンタクトするソ-ス電極と、前記ドレイン電極にコンタクトするドレイン電極とを具備し、前記高抵抗半導体層の不純物のド-ズ量は2×1012cm-2〜3×1012cm-2であり、前記ドリフト領域のド-ズ量は1×1012cm-2〜2×1012cm-2であることを特徴とする高耐圧半導体装置。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁層を有する基板の絶縁層上に形成された第1導電型の高抵抗半導体層と、この高抵抗半導体層の表面領域に選択的に形成された第1導電型のベ-ス領域と、前記高抵抗半導体層の表面領域に選択的に、前記絶縁層に達しないように形成された第2導電型のドリフト領域と、前記ベ-ス領域に形成された第2導電型のソ-ス領域と、前記ドリフト領域に形成されたドレイン領域と、前記ソ-ス及びドリフト領域の間の領域の上にゲ-ト絶縁膜を介して形成されたゲ-ト電極と、前記ベ-ス領域及びソ-ス領域にコンタクトするソ-ス電極と、前記ドレイン電極にコンタクトするドレイン電極とを具備し、前記高抵抗半導体層の不純物のド-ズ量は2×1012cm-2〜3×1012cm-2であり、前記ドリフト領域のド-ズ量は1×1012cm-2〜2×1012cm-2であることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/78 301 W ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 616 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231281   出願人：株式会社東芝
• 高耐圧半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241846   出願人：株式会社東芝