半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232094
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074266
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】引廻し配線に対するバリアメタル膜のステップカバレッジを向上させることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に設けられた半導体素子と、該半導体素子の電極に電気的に接続された引廻し配線であるCu配線2と、該Cu配線2の保護のためにCu配線2表面を覆う第1のバリアメタル膜1および第2のバリアメタル膜3を含んでなる半導体装置であって、前記Cu配線2の長さ方向に対して垂直なCu配線2の断面の形状が逆台形であるものである。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた半導体素子と、該半導体素子の電極に電気的に接続された引廻し配線と、該引廻し配線の保護のために引廻し配線表面を覆うバリアメタル膜を含んでなる半導体装置であって、前記引廻し配線の長さ方向に対して垂直な引廻し配線の断面の形状が逆台形である半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (2件)

配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-069592 出願人：住友金属工業株式会社
特開平4-134827

審査官引用 (2件)

配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-069592 出願人：住友金属工業株式会社
特開平4-134827

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