特許
J-GLOBAL ID:200903010363413391
電気光学装置、および電気光学装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-311458
公開番号(公開出願番号):特開2007-121537
出願日: 2005年10月26日
公開日(公表日): 2007年05月17日
要約:
【課題】スイッチング素子を覆う層間絶縁膜を樹脂からなる平坦化膜として構成した場合でも、平坦化膜の吸湿に起因する不具合の発生を確実に防止可能な電気光学装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】有機EL装置の素子基板10において、平坦化膜80の下層側であって駆動用トランジスタ74およびそのドレイン電極42の上層側に第1の無機絶縁膜60aが形成されているとともに、平坦化膜80の上層側であって画素電極34の下層側に第2の無機絶縁膜60bが形成され、無機絶縁膜60a、60bは、コンタクトホール520内および平坦化膜80の外側で接して平坦化膜80の下面、上面および側面を完全に覆っている。このため、有機EL装置の製造途中において平坦化膜80が吸湿することを防止できる。それ故、平坦化膜80の吸湿に起因する不具合の発生を確実に防止できる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
素子基板と、該素子基板上に形成されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の上層側に形成された樹脂膜からなる平坦化膜と、該平坦化膜の上層側に形成された画素電極とを有し、当該画素電極が前記平坦化膜に形成されたコンタクトホール内で前記スイッチング素子と電気的に接続された電気光学装置において、
前記平坦化膜の下層側であって前記スイッチング素子の上層側に第1の無機絶縁膜が形成されているとともに、前記平坦化膜の上層側であって前記画素電極の下層側に第2の無機絶縁膜が形成されており、
前記第1の無機絶縁膜と前記第2の無機絶縁膜とは、前記コンタクトホール内および前記平坦化膜の外側で接して当該平坦化膜の下面、上面および側面を覆っているとともに、
前記画素電極は、前記コンタクトホールの内側領域で前記第1の無機絶縁膜を貫通する第1の開口部、および前記コンタクトホールの内側領域で前記第2の無機絶縁膜を貫通する第2の開口部を介して前記スイッチング素子に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
IPC (3件):
G09F 9/30
, G02F 1/136
, H01L 51/50
FI (3件):
G09F9/30 338
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
Fターム (29件):
2H092JA25
, 2H092JA46
, 2H092JB56
, 2H092JB57
, 2H092JB58
, 2H092KB22
, 2H092KB24
, 2H092NA17
, 2H092NA19
, 2H092PA12
, 3K007AB11
, 3K007AB13
, 3K007BA06
, 3K007CA00
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007FA02
, 3K007GA00
, 5C094AA38
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094FB02
, 5C094FB15
, 5C094HA08
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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半導体表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-112151
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-107216
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
表示装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-368253
出願人:三洋電機株式会社
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