特許

J-GLOBAL ID：200903010379597123

研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： 倉田 靖 ,  大槻 裕人
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057350
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスCMP技術及び層間絶縁膜の平坦化CMP技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。【解決手段】 基板を砥粒、研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を与える添加剤を含む研磨剤で研磨する場合に、設定研磨圧力をP、パターンの形成された基板の凹部の実効研磨圧力をP1、凸部の実効研磨圧力をP2、パターンのない基板の研磨速度に変曲点が現れる圧力P'とすると、P2>P'>P>P1となるように添加剤の濃度を調整した研磨剤を用いる。或いはP2>P'>P>P1となるように研磨荷重を設定することにより、被研磨膜のパターン形状に応じて変曲点が現れる圧力よりも高い研磨圧力がかかる凸部を選択的に研磨する特性を実現することができる。

請求項（抜粋）：

基板を砥粒、研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を与える添加剤を含む研磨剤であって、設定研磨圧力がPの場合、パターンの形成された基板の凹部の実効研磨圧力をP1、凸部の実効研磨圧力をP2とすると、パターンのない基板の研磨速度に変曲点が現れる圧力P'がP2>P'>P>P1となるように添加剤の濃度を調整した研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 K ,  B24B 37/00 B

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-070016   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体のための研磨液及びこれを用いた化合物半導体の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-341276   出願人：日本エクシード株式会社