特許
J-GLOBAL ID:200903010389560228
光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-356112
公開番号(公開出願番号):特開2005-123013
出願日: 2003年10月16日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】 本発明の第一の目的は、高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供することである。【解決手段】 一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。 【化1】(式中、Aは置換基を有していてもよい芳香環または複素環基を示し、R1及びR2は水素原子又は置換基を示し、互いに結合し環状構造を形成してもよく、Mは水素原子又は塩形成性陽イオンを示し、Yは-O-又は-NR′-を表し、R′は水素原子又は置換基を表しRはアルキル、アリール基を表し、nは0から4の整数である。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (41件):
4H056CA01
, 4H056CA02
, 4H056CA03
, 4H056CA05
, 4H056CB01
, 4H056CB06
, 4H056CC02
, 4H056CC04
, 4H056CC08
, 4H056CD04
, 4H056CD05
, 4H056CD07
, 4H056CD08
, 4H056CE02
, 4H056CE03
, 4H056CE06
, 4H056CE07
, 4H056DD04
, 4H056DD06
, 4H056DD11
, 4H056DD12
, 4H056DD15
, 4H056DD16
, 4H056DD18
, 4H056DD19
, 4H056DD23
, 4H056DD29
, 4H056DD30
, 5F051AA14
, 5F051BA17
, 5F051CB13
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051KA09
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE04
, 5H032EE16
, 5H032EE20
引用特許:
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