半導体スイッチング素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077662
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】電流の高速遮断時に回路エネルギーによって発生する過電圧からスイッチング素子を保護する。【解決手段】基材にワイドバンドギャップ半導体単結晶を適用し、pn接合(103)のパンチスルー降伏電圧により素子にかかる電圧をクランプする領域(10)を具備させる。【効果】スイッチング素子のサージ耐量が向上する。

請求項（抜粋）：

バンドギャップエネルギーが2.0eV 以上の単結晶半導体基板が、ドレイン層と、前記ドレイン層よりも低不純物濃度の第一導電型のドリフト層と、前記ドリフト層内に形成された第二導電型の複数のウエル層と、少なくとも1つの前記ウエル層内に形成された第一導電型のソース層と、を有し、前記ソース層および前記ウエル層とに接続したソース電極と、前記ドレイン層に接続したドレイン電極と、前記ドリフト層と前記ウエル層および前記ドリフト層の表面を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、隣り合う前記ウエル層の間に、前記ソース電極と接続する第二導電型の半導体層が形成され、前記半導体層の不純物総量が前記ウエル層の不純物総量より低いことを特徴とする半導体スイッチング素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/80

FI (5件)：

H01L 29/78 655 G , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 657 A , H01L 29/80 V

Fターム (14件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA06 , 5F102FB01 , 5F102FB10 , 5F102GA01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GR08 , 5F102GS08 , 5F102GS10 , 5F102HC07

引用特許：

出願人引用 (3件)

過電圧保護機能内蔵型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238078 出願人：株式会社日立製作所
特開昭58-196018
特開平3-238871

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