特許

J-GLOBAL ID：200903010400266990

発光ダイオード

発明者： 安田 淳 ,  日野 智公 ,  河崎 孝彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-002075
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190854
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】光取出し効率および光出力を向上させることができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】基板1上に、活性層4を含む積層半導体10を複数有する。各積層半導体10は、一方の側の加工面12が光取り出し面となる。一方の側とは反対側の加工面11には、反射金属層8が形成されており、光反射面11を構成する。各積層半導体10の光反射面が、他の積層半導体の光取り出し面に対向するように、複数の積層半導体10が基板1上に配置されている。積層半導体10と基板1との間には、内部反射層2が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、活性層を含む積層半導体を複数有し、 前記各積層半導体は、一方の側に光取り出し面を備え、前記一方の側とは反対側に反射金属層が形成された光反射面を備えており、 各積層半導体の前記光反射面が、他の前記積層半導体の前記光取り出し面に対向するように、複数の前記積層半導体が前記基板上に配置された 発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB05 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光放射形半導体チップ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-509113   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 発光ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256632   出願人：シャープ株式会社