特許
J-GLOBAL ID:200903012453158296
発光ダイオードおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
青山 葆
, 河宮 治
, 山崎 宏
, 前田 厚司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-256632
公開番号(公開出願番号):特開2004-095944
出願日: 2002年09月02日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】放出される光の天面方向への指向性を有する発光ダイオードの簡単な製造方法を提供する。【解決手段】半導体層の発光層4,5より深い位置までメサエッチングを行うことにより発光層4,5の周囲にV溝11を形成し、V溝11上面の発光層4,5と対向する側面に金からなる反射膜12を形成し、半導体層6の表面をアニール処理することにより保護膜9を形成するようにした。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に発光層が積層された発光ダイオードにおいて
前記発光層の周囲に前記半導体層の発光層より深い位置まで形成されたV溝と、
前記V溝の前記発光層と対向する側面に形成された金からなる反射膜と、
前記半導体層の表面をアニール処理することにより形成された保護膜を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
5F041AA06
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041FF01
, 5F041FF14
, 5F041FF16
引用特許: