特許

J-GLOBAL ID：200903010428705018

レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： 小林 知洋 ,  西 恒寛 ,  渡邉 聡 ,  金生 剛 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168143
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066612
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【解決手段】 開環メタセシス重合体の水素添加物及びポリ(メタ)アクリル酸誘導体をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

開環メタセシス重合体の水素添加物及びポリ(メタ)アクリル酸誘導体をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 61/12 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 61/12 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (22件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J032BA07 ,  4J032BA25 ,  4J032BB06 ,  4J032CA34 ,  4J032CA43 ,  4J032CA46 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CE03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 開環メタセシス重合体の水素添加物、その用途及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183991   出願人：三井化学株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-199038   出願人：三井化学株式会社