特許
J-GLOBAL ID：200903041455719996

ポジ型フォトレジスト組成物およびパターン形成方法

発明者：
山本 喜博

山本 喜博 について

, 
須永 忠弘

須永 忠弘 について

, 
高尾 俊郎

高尾 俊郎 について

, 
池田 圭一

池田 圭一 について

, 
福田 立子

福田 立子 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-027803
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、紫外線や遠紫外線(エキシマーレーザー等を含む)を用いた半導体微細加工用として、光透過性等に優れ、高感度で高解像度を有し、かつアルカリ現像液に対して親和性が高く、良好なパターンが得られるポジ型フォトレジスト組成物およびこれを用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 本発明は、ある特定の構造単位、即ち、脂肪族環状化合物を主鎖とし、かつ、その環状構造の一部に酸素、硫黄、窒素および/またはリン原子を含有する構造単位を有する開環メタセシス重合体の水素添加物をフォトレジスト組成物における樹脂として用いることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物およびこれを用いるパターン形成方法である。
請求項（抜粋）：
(a)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増加する樹脂および(b)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物において、前記(a)成分の樹脂が、少なくとも下記一般式[1]【化1】(式中、R1〜R4のうち少なくとも一つが、酸により分解する基を含む置換基であり、その他は水素、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン、炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数2〜20のアルコキシアルキル基、炭素数2〜20のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1〜20のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールスルホニルオキシ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、炭素数2〜20のカルボキシアルキル基、または炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基から選ばれ、X1は-O-、-S-、-NR5-、-PR5-、または-CR52- から(R5は水素、炭素数1〜20のアルキル基を表す)選ばれ、同一でも異なってもよい。mは0または1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[A]と下記一般式[2]【化2】(式中、R6〜R9のうち少なくとも一つが、カルボキシ、ヒドロキシを含む置換基であり、その他は水素、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数2〜20のアルコキシアルキル基、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン、炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基、炭素数2〜20のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1〜20のアルキルスルホニルオキシ基、または炭素数6〜20のアリールスルホニルオキシ基から選ばれ、X2は-O-、-S-、-NR10-、-PR10-、または-CR102-から(R10は水素、炭素数1〜20のアルキル基を表す)選ばれ、同一でも異なってもよい。nは0または1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[B]と下記一般式[3]【化3】(式中、R11〜R14の少なくとも1つがシアノまたはラクトニルオキシカルボニルを含む置換基であり、その他は水素、カルボキシ基、ヒドロキシ基、炭素数2〜20のカルボキシアルキル基、または炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基、炭素数3〜20のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数2〜20のアルコキシアルキル基、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン、または炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基から選ばれ、X3は-O-、-S-、-NR15-、-PR15-、または-CR152-から(R15は水素、炭素数1〜20のアルキル基を表す)選ばれ、同一でも異なってもよい。lは0または1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[C]から構成され、かつ、一般式[1]で表される構造単位[A]のX1、一般式[2]で表される構造単位[B]のX2、および一般式[3]で表される構造単位[C]のX3のうち少なくとも1つが-O-、-S-、-NR'-、または-PR”-(R’およびR”は、それぞれ、X1の時R5、X2の時R10、およびX3の時R15を表す。)であり、その構成モル比[A]/[B]が1/99〜99/1および構成モル比[B]/[C]が30/70〜100/0であり、かつ重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比(Mw/Mn)が1.0〜2.0である開環メタセシス重合体の水素添加物を含有する樹脂であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601 ,  C08G 61/06 ,  C08G 61/12 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/039 601 ,  C08G 61/06 ,  C08G 61/12 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (61件)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB06 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB51 ,  2H025CB52 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025EA04 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002CE001 ,  4J002EE037 ,  4J002EE057 ,  4J002EH126 ,  4J002EN057 ,  4J002EN097 ,  4J002ES006 ,  4J002ET006 ,  4J002EU186 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV286 ,  4J002EW046 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J032BA02 ,  4J032BA04 ,  4J032BA07 ,  4J032BA09 ,  4J032BA12 ,  4J032BA14 ,  4J032BB01 ,  4J032BC03 ,  4J032CA34 ,  4J032CA35 ,  4J032CA38 ,  4J032CA43 ,  4J032CA45 ,  4J032CA46 ,  4J032CB01 ,  4J032CD03 ,  4J032CE03 ,  4J032CF01 ,  4J032CF03 ,  4J032CF06 ,  4J032CG06
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM