相互接続されたナノワイヤに基づくナノ構造体の製造方法、ナノ構造体及び熱電コンバータとしての利用

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-189367
公開番号（公開出願番号）：特開2008-132585
出願日： 2007年07月20日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】n型及びp型のナノワイヤを個別に相互接続する方法を提供する。【解決手段】ナノ構造体は、それぞれn型及びp型の半導体材料からなる2つのナノワイヤのアレイを備える。第1のアレイのナノワイヤ7は、例えばn型であり、例えばVLS成長によって形成される。成長ステップのあいだ触媒として作用する、導電材料のドロップレット6は、成長の最後に、前記第1のアレイの各ナノワイヤ7の先端に残存する。次いで、第2のアレイのナノワイヤ9が、前記第1のアレイの各ナノワイヤ7の周囲に形成された絶縁材料層10及び付随するドロップレット6を、p型の半導体材料層で覆うことによって、前記第1のアレイの各ナノワイヤ7の周囲に形成される。これによって、ドロップレット6は、前記第1のアレイのナノワイヤ7と、前記第2のアレイの単一の同軸のナノワイヤ9とを自動的に接続する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にナノワイヤ(7)のアレイを形成する成長ステップを有するナノ構造体の製造方法であって、前記ナノワイヤは第1の型(n)のドープされた半導体材料からなり、前記各ナノワイヤ(7)は、前記成長ステップの終わりに、その先端に導電材料のドロップレット(6)を有し、前記ドロップレットは前記成長ステップのあいだ触媒として作用する、方法において、前記各ナノワイヤ(7)の周囲に絶縁材料層(10)を形成するステップと、前記絶縁材料層(10)、及び前記各ナノワイヤ(7)に付随する前記ドロップレット(6)を、第2の型(p)のドープされた半導体材料層(9)で覆うステップと、を有し、前記絶縁材料層は対応する前記ドロップレットを覆わず、前記ドロップレットは、付随する前記ナノワイヤ(7)と前記第2の型のドープされた半導体材料層(9)との間に、個別の電気的接合を構成する、ことを特徴とする、方法。

IPC (6件)：

B82B 3/00 , H01L 35/34 , B82B 1/00 , G01N 27/16 , G01N 27/00 , H01L 35/32

FI (6件)：

B82B3/00 , H01L35/34 , B82B1/00 , G01N27/16 , G01N27/00 K , H01L35/32 A

Fターム (5件)：

2G060AA02 , 2G060AB03 , 2G060AF13 , 2G060BA03 , 2G060JA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体素子および半導体回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-276828 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-169081
ナノ構造及びナノワイヤーの組立方法並びにそれらから組立てられた装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-578579 出願人：ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア

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