特許

J-GLOBAL ID：200903010430741587

半導体光増幅器および光導波路

発明者： 竹下 達也 ,  横山 清行 ,  福田 光男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324177
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151027
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 従来材料の枠組みの中で、シングルモードファイバとの高結合効率を有する半導体光増幅器または光導波路を提供する。【解決手段】 本発明の光増幅器または光導波路は、深さ方向の光強度分布を上部(リッジ方向)に引き上げるために、第1のクラッド層と第1のSCH層の間にその両者よりも低屈折率層を挿入したもの、2のクラッド層と第2のSCH層との間にその両者よりも高い屈折率層を挿入したもの、あるいは、第1のクラッド層とコア層の間に低屈折率層を挿入したもの、コア層と第2のクラッド層の間に高屈折率層を挿入したものであり、引っ張られた分布がリッジを構成する横方向の大きな屈折率差で整形され真円に近い遠視野像を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層の上に形成された第1のSCH層と、この第1のSCH層の上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第2のSCH層と、この第2のSCH層の上に形成された第2のクラッド層とを有し、前記第2のクラッド層がリッジ型に加工されるか、あるいは前記第2のクラッド層と前記第2のSCH層とがリッジ型に加工されている半導体光増幅器において、前記第1のクラッド層と前記第1のSCH層との間にこれら両者よりも屈折率が低い低屈折率層が設けられていることを特徴とする半導体光増幅器。

IPC (2件)：

H01S 5/50 610 ,  G02B 6/122

FI (2件)：

H01S 3/18 692 ,  G02B 6/12 A

Fターム (14件)：

2H047KA06 ,  2H047NA04 ,  2H047QA02 ,  2H047TA18 ,  2H047TA22 ,  2H047TA27 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073EA20