特許

J-GLOBAL ID：200903010446846818

半導体装置

発明者： 森内 美和 ,  吉田 宜史
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-230147
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043588
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 SOIデバイスにおいて薄膜シリコン層にP型不純物領域とN型不純物領域を設けてSOIダイオードを作製すると、P型不純物領域とN型不純物領域の接触面積が非常に小さく、大電流を流すことができなかった。【解決手段】 薄膜シリコン層と埋込酸化膜を上下方向に貫通して半導体基板の中まで至るトレンチを2つ作製し、2つのトレンチの一方にはP型不純物領域、もう一方にはN型不純物領域を設ける。さらにトレンチよりも大きいP型不純物領域電極コンタクトおよびN型不純物領域電極コンタクトを設けて、P型不純物領域、N型不純物領域とも薄膜シリコン層、半導体基板の両方から電極をとるようにし、SOIデバイスでありながらダイオードに大電流を流せるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された半導体薄膜を有する半導体装置において、前記半導体薄膜と絶縁膜を上下方向に貫通して前記半導体基板の中まで至るトレンチを有し、トレンチから不純物拡散層を前記半導体基板および前記半導体薄膜に形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/866

FI (4件)：

H01L 29/91 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 623 A ,  H01L 29/90 D

Fターム (9件)：

5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ06 ,  5F110AA22 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-270356
  
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-348215   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平1-270356
  
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-348215   出願人：日本電気株式会社