特許

J-GLOBAL ID：200903092132197870

半導体装置とその製造方法

発明者： 高橋 健一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174115
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりを向上すると共に、製造工程を簡単にし、且つリーク電流を低減せしめた半導体装置を提供する。【解決手段】 支持用半導体基板3の表面全域に埋め込み絶縁膜2が所定の厚さで形成され、この埋め込み絶縁膜2の表面に半導体活性層1が所定の厚さで形成されるSOI(silicon on insulator)基板を用いた半導体装置において、前記SOI基板の半導体活性層1と前記埋め込み絶縁膜2とを貫通する第1のトレンチ溝15が形成され、前記第1のトレンチ溝15の底部の前記支持用半導体基板3及び前記第1のトレンチ溝15の側面には導電性膜5が形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

支持用半導体基板の表面全域に埋め込み絶縁膜が所定の厚さで形成され、この埋め込み絶縁膜の表面に半導体活性層が所定の厚さで形成されるSOI(silicon on insulator)基板を用いた半導体装置において、前記SOI基板の半導体活性層と前記埋め込み絶縁膜とを貫通する第1のトレンチ溝が形成され、前記第1のトレンチ溝の底部の前記支持用半導体基板及び前記第1のトレンチ溝の側面には導電性膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/762 ,  H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 29/91 D

Fターム (5件)：

5F032AA06 ,  5F032BB06 ,  5F032CA15 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53

引用特許：

審査官引用 (3件)

• SOI半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001424   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-303599   出願人：日本電装株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162597   出願人：日産自動車株式会社