特許
J-GLOBAL ID:200903010448022600

単層カーボンナノチューブの合成方法及び合成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田澤 博昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-356514
公開番号(公開出願番号):特開2003-160319
出願日: 2001年11月21日
公開日(公表日): 2003年06月03日
要約:
【要約】【課題】 単層カーボンナノチューブが高収率で大量に合成可能とする。【解決手段】 合成チャンバ1に粉末状又はガス状のカーボンナノチューブ原料10を不活性ガス供給ボンベ3からの不活性ガスにより送り込み、合成チャンバ1内で放電電極Pにより放電させてプラズマ11を生成し、このプラズマ11でカーボンナノチューブ原料10を蒸発させると共に、合成チャンバ1内に設けられた筒状の反応生成場維持部材8の内外で蒸発物質を循環させて単層カーボンナノチューブ12を合成する。
請求項(抜粋):
合成チャンバに粉末状又はガス状のカーボンナノチューブ原料を不活性ガスにより送り込む工程と、前記合成チャンバ内で放電させてプラズマを生成し、このプラズマで前記カーボンナノチューブ原料を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを得る工程と、を具備することを特徴とする単層カーボンナノチューブの合成方法。
IPC (2件):
C01B 31/02 101 ,  D01F 9/133
FI (2件):
C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/133
Fターム (16件):
4G046CA00 ,  4G046CA01 ,  4G046CB02 ,  4G046CC02 ,  4G046CC10 ,  4L037CS03 ,  4L037CT05 ,  4L037CT40 ,  4L037FA02 ,  4L037FA04 ,  4L037FA20 ,  4L037PA08 ,  4L037PA10 ,  4L037PA19 ,  4L037PA24 ,  4L037PA28
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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