特許
J-GLOBAL ID:200903010452150132

半導体集積回路用配線およびその配線の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-166412
公開番号(公開出願番号):特開平6-350030
出願日: 1993年06月11日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 配線の占有面積当たりの抵抗が小さく、かつ配線形成基板との対地間容量の低容量化及び信号の伝送損失の低減化を実現できる、半導体集積回路装置用配線およびその配線の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明における半導体集積回路装置用配線3は、半導体基板1に形成される配線路において、互いに向かいあって基板表面に対し起立形成された一対の側部配線部4と、その一対の側部配線部のそれぞれの上部を接続する上部配線部5とからなる導体で形成し、断面全体の形状がn字形乃至逆U字形の立体構造を備えたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体基板に形成される配線路において、互いに向かいあって基板表面に対し起立形成された一対の側部配線部と、その一対の側部配線部のそれぞれの上部を接続する上部配線部とからなる導体で形成したことを特徴とする半導体集積回路用配線。
引用特許:
審査官引用 (3件)

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