特許
J-GLOBAL ID：200903010455403198
処理室をドライクリーニングするための装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212044
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089860
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】反応室12の壁に金属、金属化合物(Ti、TiN等)を有する化学蒸着装置反応室から上記金属等を除去するクリーニング方法において、処理室部材の腐食を増大することなく短時間、低コストで行う方法を提供する。【解決手段】反応室12に三フッ化塩素を含有するクリーニングガス、N2O、酸化性ガスを導入し、反応室内に金属膜又は金属化合物膜と反応させるための選択された温度、圧力(例えば100〜500°C、0.1トール)を有する環境を確立し、前記クリーニングガス及び酸化性ガスを金属膜又は金属化合物膜と接触、反応させ揮発性反応生成物を生成させた後、該揮発性反応生成物を排出する段階を含むクリーニング方法。上記クリーニング方法はプラズマを与える段階をさらに含むものである。
請求項（抜粋）：
基体を処理するための装置の室から金属膜をクリーニングするための方法において、前記室中へ三フッ化塩素を含有するクリーニングガスを導入し、前記室中へN2O含有酸化性ガスを導入し、前記室中で前記クリーニングガスと前記酸化性ガスとを前記金属膜と反応させるための選択された温度及び選択された圧力を有する環境を前記室内に確立し、前記クリーニングガスと前記酸化性ガスとの反応生成物を前記室から排出する、諸段階を含む、上記方法。
IPC (4件)：
C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
C23C 16/44 J
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
, H01L 21/302 N
