特許

J-GLOBAL ID：200903010499923075

半導体発光素子の製法および酸化炉

発明者： 齋 寛展
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379722
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179309
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 選択酸化用半導体層の酸化量を厳密に制御し、電流を一定領域に狭窄する半導体発光素子の製法、およびその選択酸化用半導体層の酸化量を厳密に制御することができる酸化炉を提供する。【解決手段】 上面側に観察用窓5が形成されたチャンバ1内に試料載置台2が設けられており、その試料載置台2の近傍に、試料10を加熱するヒータ3が設けられている。そして、チャンバ1の観察窓5の外側には、顕微鏡11、カメラ12、テレビモニタ13が接続して設けられている。そして、顕微鏡11は、試料10の特定層に焦点を合せて観察し得るように取り付けられている。本発明の製法は、このような装置で試料10の特定層(選択酸化用半導体層)の酸化進行を観察しながら酸化処理を行うことに特徴がある。

請求項（抜粋）：

(a)基板上に発光層形成部および電流注入領域確定のための選択的酸化用半導体層を含む半導体積層部を成長し、(b)前記電流注入領域およびその近傍領域がメサ状に残るように、前記半導体積層部の一部をエッチングにより除去し、(c)前記半導体積層部の表面側から前記選択酸化用半導体層を観察しながら、該選択酸化用半導体層をメサ状にエッチングされた外周部から中心部側に酸化させることにより中心部に所定範囲の電流注入領域を形成し、(d)前記半導体積層部の両側に電気的に接続されるように電極を形成することを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (3件)：

H01S 5/183 ,  H01L 21/66 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/183 ,  H01L 21/66 Q ,  H01S 5/343

Fターム (23件)：

4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106DB18 ,  5F073AA04 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA26 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F073HA02 ,  5F073HA10 ,  5F073HA11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002944   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-173775