面発光レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002944
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200210
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電流狭窄領域のサイズのばらつきに起因する素子特性のばらつきを抑制し、且つ低コストな、面発行レーザー素子の製造方法を提供する。【解決手段】活性層3への注入電流の狭窄が行われるように酸化処理により部分的に高抵抗化された構成を有する面発光レーザの製造方法において、基板1上に多層膜を成長させ、その活性層3近傍に酸化層5を設け、その酸化層5上の発光領域のみに酸化防止層7を選択的に形成し、その後に全体を酸化処理して酸化層5の露出部分だけを選択的に酸化させ、次いで多層膜を成長させることによって電流狭窄構造を形成する面発光レーザの製造方法。

請求項（抜粋）：

活性層への注入電流の狭窄が行われるように酸化処理により部分的に高抵抗化された構成を有する面発光レーザの製造方法において、基板上に多層膜を成長させ、その活性層近傍に酸化層を設け、その酸化層上の発光領域のみに酸化防止層を選択的に形成し、その後に全体を酸化処理して酸化層の露出部分だけを選択的に酸化させ、次いで多層膜を成長させることによって電流狭窄構造を形成することを特徴とする面発光レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 21/203

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 21/203 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-309381 出願人：富士電機株式会社
面発光半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-215233 出願人：富士通株式会社
特開平1-220492

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