特許
J-GLOBAL ID：200903010505765673

半導体装置

発明者：
藤島 直人

藤島 直人 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162383
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353447
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 横型トレンチパワーMOSFETにおいて、電極間の絶縁性が高く、かつオン抵抗が低く、さらにスイッチング特性が高速であること。【解決手段】 基板表面にゲートポリシリコンを引き出す領域であるゲート領域におけるトレンチ幅(Wg)を、MOSFETとして電流を駆動する領域である活性領域におけるトレンチ幅(Wt)よりも狭くし、ゲート領域のトレンチ内にソースポリシリコン(トレンチ底にソースがある場合)またはドレインポリシリコン(トレンチ底にドレインがある場合)が形成されない構成とする。また、平面的なレイアウト形状をメッシュ形状とし、メッシュパターンのトレンチエッチング領域の中に非トレンチエッチング領域を島状や襞形状に残したり、メッシュパターンの非トレンチエッチング領域の中にトレンチエッチング領域を島状や襞形状に形成した構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられたトレンチ、前記トレンチの底部に形成されたソースとなる第1の拡散領域、前記トレンチの外側の基板表面領域に形成されたドレインとなる第2の拡散領域、前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの内側に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜の内側に形成された第1の導電体、および前記第1の導電体の内側に層間絶縁膜を介して形成され、かつ前記第1の拡散領域に電気的に接続する第2の導電体を具備する横型トレンチMOSFETよりなる半導体装置において、MOSFETとして電流を駆動する活性領域では、前記トレンチ内に少なくとも前記ゲート絶縁膜、前記第1の導電体、前記層間絶縁膜および前記第2の導電体を有し、かつ、前記第1の導電体を基板表面に引き出すゲート領域では、前記トレンチは前記ゲート絶縁膜、前記第1の導電体、前記層間絶縁膜および別の層間絶縁膜のうちの一つ以上で充満されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43
FI (4件)：
H01L 21/28 301 A ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/62 G
Fターム (46件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104FF01 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F140AA01 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BB02 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BC15 ,  5F140BD18 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BF47 ,  5F140BF58 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BH03 ,  5F140BH09 ,  5F140BH10 ,  5F140BH25 ,  5F140BH26 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ29 ,  5F140BK09 ,  5F140BK23 ,  5F140BK25 ,  5F140CC03 ,  5F140CE06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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