特許

J-GLOBAL ID：200903010534602961

半導体ウェハの研磨装置

発明者： 根本 秀聖
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382458
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150216
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】半導体ウェハの両面研磨と同時にウェハエッジ部の鏡面加工を、簡便に効率よく、従来と同じ研磨時間、手間でできるようにする。【解決手段】上下定盤6、2に、アスカーC硬度80以下、且つ圧縮弾性回復率90%以上の不織布製の軟質研磨布1を貼り付けると共に、キャリア5のホール3の内周壁に上記研磨布と同じ研磨布11を貼り付けることを特徴としている。キャリア5としては、その厚さが、研磨すべき半導体ウェハ4の厚さ以下のものを用いることが望ましい。軟質の研磨布1、11が、ウェハエッジ部10のテーパー部10aや外周円弧部10bの形状に柔軟に適合して、効率よく鏡面加工がなされ得る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

研磨布を貼り付けた上下定盤間のキャリア及び該キャリアに設けたキャリアホールに半導体ウェハをセットして、前記上下定盤の回転により前記半導体ウェハの両面を研磨する半導体ウェハの研磨装置において、 前記研磨布にアスカーC硬度80以下、且つ圧縮弾性回復率90%以上の不織布製の軟質研磨布を用いると共に、前記キャリアホールの内周壁に前記研磨布と同じ研磨布を貼り付けたことを特徴とする半導体ウェハの研磨装置。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

FI (5件)：

H01L21/304 622F ,  H01L21/304 621A ,  H01L21/304 621E ,  B24B37/00 C ,  B24B37/04 C

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AB04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 両面研磨装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-307903   出願人：信越半導体株式会社