特許
J-GLOBAL ID:200903010555468963
ウエハー支持基板
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-382169
公開番号(公開出願番号):特開2002-184845
出願日: 2000年12月15日
公開日(公表日): 2002年06月28日
要約:
【要約】【課題】半導体製造工程における化合物半導体ウエハーの裏面加工の際にウエハーを支持する基板として、サファイアを用いると、光学的異方性からアライニングの際に複屈折が起きて、アライニング精度が低下する問題があった。【解決手段】サファイア製支持基板の主面をR面±2°以内とし、C軸投影方向を示す表示部を設ける。
請求項(抜粋):
半導体製造工程における化合物半導体ウエハーの裏面加工の際にウエハーを支持する基板において、サファイアからなり、その主面がR面±2°以内であり、かつ主面内にC軸投影方向±2°以内の位置に表示部を有することを特徴とするウエハー支持基板。
IPC (3件):
H01L 21/68
, B24B 37/04
, H01L 21/304 622
FI (3件):
H01L 21/68 N
, B24B 37/04 J
, H01L 21/304 622 J
Fターム (22件):
3C058AB04
, 3C058BC03
, 3C058CB02
, 3C058CB05
, 3C058CB10
, 3C058DA17
, 5F031CA02
, 5F031HA01
, 5F031HA02
, 5F031HA12
, 5F031HA32
, 5F031HA48
, 5F031JA02
, 5F031JA06
, 5F031JA27
, 5F031JA37
, 5F031MA22
, 5F031MA24
, 5F031MA32
, 5F031PA11
, 5F031PA20
, 5F031PA30
引用特許:
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