特許

J-GLOBAL ID：200903010575832106

高度集合組織の磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供するための方法及びシステム

発明者： パカラ、マヘンドラ ,  バレット、ティエリー ,  ファイ、イミン ,  ディアオ、チータオ
出願人/特許権者： グランディス インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-544623
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523589
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、2つの副層が含まれ、第1副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第2副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第2固着層、及び自由層と第2固着層との間に存在する非磁性の第2スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。

請求項（抜粋）：

磁気素子であって、 固着層と、 絶縁性のスペーサ層であって、規則的に配列された結晶構造を有し、また、前記スペーサ層をトンネル通過できるように構成された前記スペーサ層と、 自由層であって、前記スペーサ層が前記固着層と前記自由層との間に存在する前記自由層と、 を備え、書き込み電流が前記磁気素子を通過する際、スピン転移により前記自由層を切り換えるように構成されている磁気素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

Fターム (38件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD03 ,  4M119DD04 ,  4M119DD05 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB49 ,  5F092BB51 ,  5F092BC03 ,  5F092BC46 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387331   出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• スピントランスファーを利用する磁性素子及び磁性素子を使用するMRAMデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-526064   出願人：グランディスインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "High Tunnel Magnetoresistance at Room Temperature in Fully Epitaxial Fe/MgO/Fe Tunnel Junctions due