特許
J-GLOBAL ID：200903057896398102

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

発明者：
屋上 公二郎

屋上 公二郎 について

, 
鈴木 義茂

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出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について

, 
独立行政法人産業技術総合研究所

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代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-387331
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150482
出願日： 2003年11月18日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 記憶セルの面内サイズや膜厚の減少に依ることなしに、高い磁気抵抗変化率を保持しつつスピン注入磁化反転の効率を向上させ、反転電流及び反転電流密度を低減した磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置を提供すること。【解決手段】 磁化自由層(記憶層)1と、この磁化自由層の両側に非磁性スペーサー層3、13によって磁気的に分離されてそれぞれ配置された第1のスピンフィルター層2及び第2のスピンフィルター層12とを有し、これらのスピンフィルター層の磁化方向が互いに逆向きに固定されているスピン注入磁化反転素子10からなる磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子がメモリセル部を構成しているMRAMからなる磁気メモリ装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化自由層と、この磁化自由層の両側に磁気的に分離されてそれぞれ配置された第1磁性層及び第2磁性層とを有し、これらの磁性層の磁化方向が互いに逆向きに固定されている磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR25
引用特許：
審査官引用 (6件)
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