特許

J-GLOBAL ID：200903010608589970

半導体発光素子

発明者： 中村 淳一 ,  佐々木 和明 ,  大山 尚一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267631
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 結晶表面での欠陥を減らして電極の密着性を良くする。【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型AlGaInP下部クラッド層12、AlGaInP活性層13、p型AlGaInP上部クラッド層14、p型AlGaInP中間層15(GaAsに対する格子整合率Δa/aは-3.3%)、p型AlGaInP電流拡散層16、p型電極17、n型電極18を形成する。こうして、中間層15の格子整合率Δa/aの値を、-2.5%よりも小さな値-3.3%にすることによって、結晶表面での結晶欠陥数ををLED1個当り20個以下に低減できる。その結果、電流拡散層16上に形成されるp型電極17の密着性が良くなり、生産歩留まりを向上できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、少なくとも発光のための活性層とこの活性層を両側から挟み込む第1クラッド層および第2クラッド層とを含む積層構造体、この積層構造体の外側に形成された中間層、この中間層の外側に形成された電流拡散層を有する半導体発光素子において、上記中間層における上記化合物半導体基板に対する格子整合率Δa/aを、結晶成長終了後の結晶表面で観察される結晶欠陥の数が20個以下になるような値に成したことを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (11件)：

5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066879   出願人：シャープ株式会社