特許
J-GLOBAL ID：200903075449887242

半導体発光素子

発明者：
中村 淳一

中村 淳一 について

, 
中津 弘志

中津 弘志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066879
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260724
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子の上部クラッド層と電流拡散層との間のバンド不連続を緩和することにより、動作電圧を低減し、発光効率を向上する。【解決手段】 上部クラッド層と電流拡散層との間に中間層を設ける。中間層は、接合前のその伝導帯下端ならびに/または価電子帯上端のエネルギー位置が、接合前の上部クラッド層及び電流拡散層の伝導帯下端のエネルギー位置の中間ならびに/または価電子帯下端のエネルギー位置の中間にそれぞれ位置し、或いは/及び、その格子定数の値が上部クラッド層及び電流拡散層の格子定数値の中間にするような、半導体材料で構成される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の化合物半導体基板と、該化合物半導体基板の上に形成された積層構造であって、少なくとも発光のための活性層と該活性層を両側から挟み込む第1導電型の下部クラッド層及び第2導電型の上部クラッド層とを含む、積層構造と、該積層構造の上に形成された第2導電型の中間層と、該中間層の上に形成された第2導電型の電流拡散層と、を有する半導体発光素子であって、該中間層は、該上部クラッド層と該電流拡散層との間で、格子不整合と接合前のエネルギーバンドプロファイルにおける伝導帯下端及び/または価電子帯上端のエネルギー位置の差とのうちの少なくとも一方を緩和する、半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 A
引用特許：
審査官引用 (8件)
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