特許

J-GLOBAL ID：200903010633478261

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 今 橋 一 成 ,  石 井 信 雄 ,  川 上 聡 ,  河 合 良 信 ,  上 田 洋 子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外5名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999005312
公開番号（公開出願番号）：WO2000-019501
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月06日
要約：

【要約】本発明は、ECRプラズマ処理装置において、真空室内の反射波を低減することによって定住波を抑制し、プラズマ密度を容易に制御できるようにすることにより均一な処理を行うことを目的としている。第1の真空室21の内壁面に、カーボン等の抵抗体、水等の誘電損失の大きい誘電体、及びフェライト系セラミックス等の磁性体の何れか、またはこれらの組み合わせてできた電磁波吸収体6を設け、導波管25から透過窓23を介して第1の真空室21内に導入したマイクロ波を電磁波吸収体6に吸収させて反射波を抑制することにより、容易にECRポイントにおいてプラズマ密度分布を予定しているパターンに近づけて形成する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を導波管から透過窓を介して真空室内に導入し、マイクロ波によって処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマによって被処理体を処理するプラズマ装置において、 真空室の内壁面に電磁波吸収体を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B